英特尔宣布实现3D先进封装技术Foveros的大规模量产

英特尔宣布成功实现基于领先半导体封装技术的大规模生产，其中包括突破性的3D封装技术Foveros。这一技术已在升级后的美国新墨西哥州Fab 9投产。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani表示：“先进封装技术使英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸和设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”

随着整个半导体行业进入异构时代，在单个封装中集成多个“芯粒”（Chiplets），英特尔的Foveros和EMIB等先进封装技术声称可以实现单个封装中集成一万亿个晶体管，并计划在2030年后继续推进摩尔定律。

据介绍，英特尔的3D先进封装技术Foveros能够在处理器制造过程中以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Foveros使英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。该公司曾表示，计划到2025年时，其3D Foveros封装的产能将增加四倍。

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