三星电子正在考虑采用竞争对手SK海力士的技术,以应对芯片制造竞赛的升级。目前市场对于HBM(高带宽存储)芯片的需求越来越大,然而与竞争对手相比,三星却失去了英伟达的大单。
分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺。而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。
据知情人士透露,三星HBM3芯片的良率表现并不理想,仅维持在10-20%的水平;相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下,三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺,而非此前坚持的NCF技术。
虽然三星已经发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单,并且正在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜,但使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。
这一变化表明,在激烈的市场竞争环境下,三星电子开始寻求合作伙伴来提升其芯片制造能力。同时,这也是三星电子一直在努力保持竞争力和创新的一个例子。
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