铠侠已确认将于2027年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产工作,该产品采用332层堆叠结构。其输入输出接口速率可达4.8Gbps,单位面积存储密度较当前主流的BiCS8技术提升59%。这一升级旨在响应市场对高容量、高性能存储产品的持续增长需求。
本文属于原创文章,如若转载,请注明来源:铠侠2027年量产332层BiCS10 NAND,密度提升59%https://dcdv.zol.com.cn/1185/11854339.html
铠侠已确认将于2027年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产工作,该产品采用332层堆叠结构。其输入输出接口速率可达4.8Gbps,单位面积存储密度较当前主流的BiCS8技术提升59%。这一升级旨在响应市场对高容量、高性能存储产品的持续增长需求。
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