据此前消息，三星在2nm工艺（SF2）的测试生产阶段实现了超出预期的初始良品率，达到了30%以上。按照计划，三星将于2025年第四季度开始2nm工艺的量产，为Exynos 2600的大规模制造奠定基础。
最近，三星2nm工艺开发团队在实验性生产中取得了一项重要里程碑。目前，该工艺的良品率已提升至40%以上，相比此前的3nm工艺表现更为出色。按照当前的进度，三星有望按时完成Exynos 2600的量产目标。
尽管三星在2nm工艺领域取得了显著进展，但与主要竞争对手相比，仍存在一定差距。去年12月，另一家芯片制造商在其2nm工艺试产阶段就已实现超过60%的良品率，近期更有传言称其良品率已进一步提升至70%至80%，接近量产水平。
三星的SF2工艺集成了第三代环绕栅极晶体管（GAA）技术，相较于SF3（3nm）工艺，性能提升了12%，功耗效率提高了25%，同时芯片面积减少了5%。此外，三星还计划在2nm制程节点引入“背面供电网络”（BSPDN）技术，通过将电源轨放置在晶圆背面，解决传统前端供电网络（FSPDN）导致的布线瓶颈问题。这项技术不仅有助于提升芯片性能和能效，还能进一步缩小芯片尺寸。
