据韩国媒体报道，三星计划于明年三月启动其第十代 V-NAND 3D NAND 闪存的首条量产线建设，并有望在同年十月实现全面量产。
按照规划，该产线将在 2026 年 3 月开始安装设备，上半年完成产线建设，随后进入试生产阶段，在工艺稳定后正式转入量产。这一时间安排比部分业内人士此前预期稍晚。
目前三星最先进的 NAND 技术为 286 层的 V9 版本，而下一代 V10 的堆叠层数预计将超过 400 层，达到约 430 层，届时将成为堆叠高度领先的闪存产品。该技术还将采用超低温蚀刻和混合键合等多项新工艺。
根据三星为今年 2 月举行的 ISSCC 2025 会议准备的资料，其 V10 NAND 的 TLC（Triple-Level Cell）版本可实现每平方毫米 28 吉比特的存储密度，以及 5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。
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