三星正开发新型LLW DRAM：高带宽、低功耗

随着人工智能的发展，对存储器的需求日益增长。三星公司正在推出一种新型的存储产品，以满足特定应用领域的要求。

据悉，三星正在研发一种新型低功耗内存（LLW DRAM），该内存集成了高带宽、低延迟和低功耗的特点。该公司将这种内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，并且未来也有望应用于各种客户端工作负载中。

LLW DRAM是一种低功耗的内存模块，每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。此外，LLW DRAM还具有另一个重要特性：超低功耗达到1.2pJ/bit，但三星没有透露具体数据传输速率。

根据目前公开的技术细节来看，LLW DRAM很可能已经接近开发完成阶段。值得注意的是，在设计上，这种内存可能会借鉴GDDR6W，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。

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