三星电子执行副总裁Lee Siwoo近日在IEEE IMW 2024研讨会上表示，公司计划于明年推出4F2VCT DRAM原型产品。3D DRAM领域目前主要集中在两种结构上：一种是4F2VCT（垂直通道晶体管）DRAM；另一种是VS-CAT（垂直堆叠单元阵列晶体管）DRAM。前者是在DRAM单元结构上向z方向发展，面积可缩减约30%；后者类似于3D NAND，通过堆叠多层DRAM来提升容量，并能降低电流干扰。三星电子预计使用双晶圆结构，即存储单元和外围逻辑单元分离，并采用W2W混合键合来实现VS-CAT DRAM成品的生产。目前，三星电子已在内部实现了16层堆叠的VS-CAT DRAM，而美光则处于8层堆叠的水平。
此外，在会议上，Lee Siwoo还探讨了将BSPDN背部供电技术应用于3D DRAM内存的可能性，并认为该技术有助于未来对单个内存bank进行精细供电调节。
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