据最新消息显示，今年下半年三星计划采用中国存储专利技术进行芯片生产。近期，三星电子与国内存储芯片厂商长江存储达成了一项重要合作，签署了关于开发超过400层堆叠NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。
根据相关人士透露，三星预计将在2025年下半年启动下一代V10 NAND的量产工作，并将运用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”领域。三星选择引入长江存储的技术授权，主要是因为长江存储在“混合键合”技术方面已经达到了全球领先水平。经过评估，三星认为从下一代V10 NAND开始，其产品将不可避免地受到长江存储专利的影响。
这一合作对于中国存储行业而言具有重要意义。从最初的落后状态到如今实现赶超，这一成果不仅体现了中国科技企业在自主创新方面的持续努力，也标志着中国在高端存储技术领域取得了显著突破。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：三星将采用长江存储专利技术生产芯片https://dcdv.zol.com.cn/953/9539299.html
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