近日，意法半导体与英诺赛科正式宣布达成一项关于氮化镓（GaN）技术开发与制造的合作协议。该协议于3月31日签署，旨在通过双方的资源整合与技术协作，进一步提升氮化镓功率解决方案的市场竞争力，并增强供应链的稳定性和韧性。
根据合作协议，双方将共同推进氮化镓功率技术的联合研发计划，致力于在未来几年内推动该技术在消费电子、数据中心、汽车以及工业电源系统等领域的广泛应用。此外，协议还明确了产能互补的合作模式：英诺赛科可以利用意法半导体在中国以外地区的前端制造能力生产氮化镓晶圆，而意法半导体则可借助英诺赛科在中国的前端制造设施生产其自有的氮化镓晶圆。这种灵活的供应链布局将帮助两家公司扩大各自的氮化镓产品组合，并提高市场供应能力，以满足不同应用场景下客户的需求。
意法半导体APMS总裁Marco Cassis表示：“作为垂直整合器件制造商（IDM），意法半导体与英诺赛科的合作能够充分发挥这一模式的优势，为全球客户提供更具价值的产品与服务。此次合作不仅有助于加速氮化镓功率技术的部署，完善我们现有的硅和碳化硅产品组合，还能通过灵活的制造方式更好地满足全球市场的需求。”
英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇也对此次合作表达了高度期待：“氮化镓技术是实现小型化、高效率、低功耗、低成本及低碳排放电子系统的关键所在。英诺赛科已在8英寸（200mm）硅基氮化镓晶圆量产方面取得突破，累计出货超过10亿颗氮化镓器件，覆盖多个行业领域。我们非常高兴能够与意法半导体达成战略合作，这将进一步推动氮化镓技术的普及，并为下一代氮化镓技术的开发奠定坚实基础。”
此次合作标志着两家公司在氮化镓领域迈出了重要一步，双方将携手推动技术创新与市场拓展，为全球客户提供更优质的解决方案。
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