近日，美光科技宣布将投入约2000亿美元（约合人民币14363亿元）用于扩大在美国的生产与研发业务。根据官方发布的声明，这笔投资中，有1500亿美元将专门用于国内内存芯片制造，其余500亿美元则用于技术研发。预计该计划将在未来一段时间内直接或间接创造近9万个就业岗位。
公司表示，此项大规模投资意在应对市场未来的增长需求，维持其市场份额，并助力实现美光在美国本土生产40%动态随机存取存储器（DRAM）的战略目标。此外，公司还计划在爱达荷州博伊西市新建一座先进的内存芯片制造厂，并将在弗吉尼亚州马纳萨斯对现有制造设施进行升级。与此同时，位于纽约的大型工厂建设计划也将持续推进。
通过这一系列举措，美国将获得更先进的芯片封装技术能力，从而推动高带宽存储器（HBM）市场的长期发展。美光首席执行官表示，此次投资不仅能巩固美国在高科技领域的全球领先地位，同时也为本国半导体产业创造大量就业机会，强化国内芯片供应链，这对于保障国家经济和安全具有重要意义。
目前，该项投资的具体时间安排尚未公布，但预计将在未来四年内逐步落实。美光并非首家公布类似投资意向的半导体企业，此前也有其他厂商表达了在美国大举投资的计划。
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