6 月 24 日消息，根据韩国媒体当地时间 19 日的报道以及另一家韩媒当日发布的消息，三星电子在第六代 10 纳米级别 DRAM 内存制造工艺方面取得了明显进展，良率显著提升。
据报道，去年三星 1c nm 内存的良率尚不足 30%。然而在今年五月进行的性能测试中，良率已提高至 50% 到 70%。另据另一家媒体称，近期该工艺的良率已超过 60%。
两家媒体均指出，良率的大幅提升主要归功于设计上的重大调整。虽然这一改进可能使量产时间有所推迟，但在技术层面带来了明显的突破。
此前由于在 HBM 市场上的表现不佳，三星在本年度第一季度失去了 DRAM 内存收入排名第一的位置。考虑到三星即将推出的 HBM4 内存将基于 1c nm 工艺，此次良率的提升或将为其重返市场领先地位提供有力支持。
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