据韩国媒体报道，7月1日，三星电子在当地时间下午正式批准了其第六代10nm级DRAM内存工艺——1c纳米的生产准备。这一决定意味着三星已全面完成1c纳米内存技术的研发，即将迈入量产阶段。
三星即将推出的HBM4 12Hi内存产品将采用基于1c纳米工艺的DRAM芯片，该技术的性能表现预计将对三星电子DS部门存储器事业部未来一至两年的营收状况产生重要影响。
在此之前，SK海力士与美光也已相继完成第六代20~10nm制程DRAM技术的开发。至此，全球三大存储器厂商在推进工艺制程进入10nm门槛的进程中均取得了关键进展。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：三星全面完成1c纳米DRAM工艺研发https://dcdv.zol.com.cn/1006/10066852.html
参考报价：
¥29570
去购买>
参考报价：
¥12519
去购买>
参考报价：
¥36480
去购买>
参考报价：
¥2588
去购买>
参考报价：
¥7599
去购买>
参考报价：
¥21180
去购买>
参考报价：
¥11698
去购买>
参考报价：
¥31999
去购买>
参考报价：
¥18599
去购买>
参考报价：
¥1800
去购买>
下载ZOL APP
秒看最新热品
