近日，日本芯片制造企业Rapidus宣布，已启动2nm晶圆的测试生产，计划在2027年实现量产。这一进展标志着日本在先进半导体制造领域迈出了关键一步。
据相关报道，Rapidus位于日本的IIM-1工厂已经开始进行基于2nm全环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆原型制作。公司方面表示，初期测试晶圆已达成预设的电气特性指标，表明产线设备运行稳定，工艺技术开发正按计划推进。
在半导体制造流程中，原型晶圆的制作是一个重要节点，用于验证新工艺下电路的性能是否满足设计目标，包括是否具备良好的稳定性和能效表现。目前，Rapidus正在对测试芯片进行多项电气参数的测量，如临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗以及电容等。
与此同时，IIM-1工厂的建设也在稳步推进。该厂自2023年9月动工以来进展顺利，洁净室于2024年完工，到2025年6月为止，已有超过200台设备完成安装，涵盖先进的DUV和EUV光刻系统。
此前，由于中国台湾地区和韩国在半导体制造领域的长期发展，日本本土的半导体产线逐步老化并退出市场，仅保留了少量仍在运行的设备。在台积电大规模投资日本设厂之前，日本甚至难以实现40nm制程芯片的量产，在制造工艺水平上一度落后于中国大陆。
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