联华电子(UMC)近日宣布,将推出业界首款采用RFSOI制程技术的3D IC解决方案。这款解决方案不需要损耗射频性能,可以在55nm RFSOI制程平台上使用硅晶元堆叠技术,将芯片尺寸缩小45%以上。
RFSOI是一种用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程技术。联电表示,他们的RFSOI 3D IC方案利用了垂直堆叠芯片来减少面积,并且解决了芯片堆叠时常见的射频干扰问题。他们准备投入量产,并且未来会继续开发如5G毫米波芯片堆叠技术的解决方案。
据悉,联电获得了威讯公司的3D IC外包订单,为即将推出的iPhone 16系列生产关键芯片。这次订单的产品据说产量将达到数万片。
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