德国科学家于2009年发现了一种具有非平庸拓扑特性的磁结构，称之为磁斯格明子。这种新型数据载体具备尺寸小、稳定性高、电流易操控等优点，有望成为下一代数据存储技术的关键支持。
然而，如何让这种微小的磁性颗粒在纳米尺度下稳定而可控地运动一直是科研人员面临的挑战。近日，由安徽大学研究团队开发的一项新方法解决了这个问题。他们利用器件结构单元聚焦离子束加工制备技术，并设计制造出厚度均匀、边界/表面平整以及非晶层厚度小于2nm的高质量FeGe纳米条带。
通过控制电流脉冲宽度及电流密度，在赛道边界的边缘态磁结构上稳定了磁斯格明子运动。这使得他们能够实现单个80nm大小的磁斯格明子在100nmFeGe赛道中进行一维、稳定而高速运动。
这项研究成果发表在《自然-通讯》杂志上，为未来高密度、高速度的存储技术提供了关键支持。这一成果不仅展示了研究人员们在纳米尺度下的材料制备和调控能力，也为开发新型磁电子学器件带来了希望。
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