半导体巨头英飞凌科技近日宣布，公司成功研发出全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。这一重要突破将为工业、汽车、消费电子、计算和通信应用带来显著的改变。
与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。
氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”
英飞凌已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。该公司将在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。这一重大进展彰显了英飞凌在氮化镓和电源系统创新方面所取得的领导地位。
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