据最新消息，随着NAND闪存技术领域的竞争愈发激烈，三星电子近日公布的长期技术路线图显示，计划到2030年成功开发出具备1000层结构的NAND闪存。为了达成这一目标，三星将引入一种名为“多BV”（multi-BV）的全新NAND架构，通过叠加四片晶圆以突破当前的物理限制。
三星电子DS部门首席技术官宋在赫透露，公司计划采用晶圆键合技术，分别制造外围电路晶圆和存储单元晶圆，然后将两者结合为单一芯片。这一技术预计将在三星第十代V10 NAND产品中首次应用。此前，三星在NAND生产中主要使用COP方法，即将外围电路与存储单元集成在同一块晶圆上。然而，随着堆叠层数的增加，底层外围电路会受到额外压力，进而影响产品的可靠性。为解决这一问题，三星决定引入新的混合键合技术，并与长江存储展开合作，利用其相关专利技术。从V10 NAND开始，三星将正式启用该技术。
根据相关报道，三星计划于2025年下半年开始量产V10 NAND，预计其堆叠层数将达到420至430层。此外，三星还将在未来的NAND生产中引入多种关键技术，包括低温刻蚀工艺以及钼材料的应用，这些技术将从400层NAND产品起逐步推广。这标志着三星在推动NAND闪存技术进步方面迈出了重要一步，同时也为行业树立了新的技术标杆。
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