据相关消息，今年3月初，三星电子在华城园区正式引入了首台由ASML制造的High-NA EUV光刻机（型号为EXE:5000），该设备价值约5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。作为目前全球唯一能够提供此类设备的供应商，ASML通过提升透镜和反射镜的尺寸，将数值孔径从0.33提高到0.55，大幅增强了光刻技术的精度。这一设备被认为是实现2nm及以下制程工艺的必备工具。
相比现有的EUV设备，High-NA EUV光刻机能实现更窄的电路线宽，从而有效降低芯片功耗并提升数据处理速度。三星电子计划在完成设备安装后，进一步构建完整的2nm工艺生态系统。公司晶圆代工业务的负责人表示，尽管三星在GAA架构的工艺转换上处于领先地位，但在商业化进程方面仍需加快步伐。实现2nm工艺的快速量产已成为三星当前的核心任务。
根据行业分析机构的数据，三星在2023年第四季度的全球晶圆代工市场中排名第二，但其收入较上一季度下降了1.4%，市场份额仅为8.1%。相比之下，市场领头羊的份额高达67%。此次引入High-NA EUV光刻机，有望助力三星加速在先进制程领域的商业化布局，进一步缩小与行业领先者的差距。
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