3月17日消息，三星电子代表宋在旭在2月举行的IEEE ISSCC 2025全体会议上发表演讲，分享了对高带宽内存（HBM）未来技术演进的展望。他提出了两种主要的技术方向：通过定制版本优化HBM设计以减少I/O面积占用，以及在基础芯片中直接集成加速器单元。
定制版HBM
当前的HBM内存架构在xPU处理器与HBM基础裸片（Base Die）之间通过数千个PHY I/O进行互联。而定制版HBM则采用了更高效率的D2D（Die-to-Die）裸片间互联技术。这一改进不仅缩短了两芯片之间的间距，还减少了所需的I/O数量，从而显著提升了能效表现。
此外，D2D互联方案的面积占用相比现有技术更低，为xPU和Base Die中容纳更多芯片IP提供了空间支持。值得注意的是，在定制版HBM架构中，LPDDR控制器/PHY和HBM控制器从xPU芯片转移至HBM Base Die中，进一步优化了系统架构。
3D集成HBM
目前，HBM内存与处理器采用的是2.5D封装技术，但在这一结构下，HBM的大部分功耗被浪费在数据搬运过程中。为了改善这一点，未来的HBM有望采用3D集成方案，即将加速器单元直接内置到基础芯片中。在这种设计中，加速器通过TSV（硅通孔）技术与DRAM芯片实现直连，省去了现有架构中复杂的中介层，从而显著提高了数据传输的能效。
相关资料显示，某些厂商已经推出类似定制HBM计算架构的产品，其中XPU与HBM之间的I/O接口得到了进一步优化，体积更小但性能更强。
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