据韩国媒体报道，三星电子与 SK 海力士正计划在下一代 HBM 内存产品中引入混合键合技术。业内消息指出，三星电子有望在 2025 年发布的 HBM4 内存中率先采用这一新工艺，而 SK 海力士则可能将混合键合技术应用于稍后推出的 HBM4E 版本。与此同时，包括美光在内的其他厂商也在评估采用改良型有凸块键合技术的可行性。
相比当前主流的有凸块键合方式，混合键合技术省去了传统凸块结构，有助于降低内存堆叠高度，从而实现更多层数的堆叠，并在电气性能方面带来优势，提升数据传输效率。
此外，根据某半导体设备制造商此前公布的信息，尽管搭载混合键合技术的 HBM 内存面世时间较原计划有所延迟，但预计仍将在 2026 年推出配备 16 层堆叠的 HBM4 或 HBM4E 产品。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：三星SK海力士布局HBM4混合键合技术https://dcdv.zol.com.cn/981/9811362.html
参考报价：
¥28980
去购买>
参考报价：
¥6399
去购买>
参考报价：
¥12519
去购买>
参考报价：
¥31999
去购买>
参考报价：￥38000
去购买>
参考报价：￥52850
去购买>
参考报价：
¥36480
去购买>
参考报价：￥11998
去购买>
参考报价：￥6999
去购买>
参考报价：
¥19599
去购买>
下载ZOL APP
秒看最新热品
