在当前的芯片制造领域，尤其是7纳米及以下的先进制程中，ASML的EUV极紫外光刻机几乎已成为不可或缺的关键设备。从传统观念来看，没有EUV光刻机就难以实现先进工艺的生产。那么，是否还有其他替代方案呢？
近期，有消息透露出一种“特殊”的5纳米制程技术，引发关注。该技术采用了一条不同于传统EUV光刻的技术路径，依赖的是步进扫描光刻机，并通过多重曝光工艺实现了5纳米级别的线宽控制。
作为芯片制造过程中最核心的设备之一，光刻机的主要功能是将掩模上的电路图案通过光学系统投影到覆盖有光刻胶的硅片上，从而在光刻胶上形成精确的电路图形。这一过程可以类比为“画工”在硅片上绘制电路图，而芯片的制程精度则主要由光刻机的性能决定。
在完成光刻之后，刻蚀设备接续登场。某款用于5纳米工艺的刻蚀设备，其精度已达到原子级别，据称刻蚀效率相比以往也有15%的提升。刻蚀的作用是根据光刻所标记的图形，利用化学或物理方式去除未受光刻胶保护的部分，保留所需结构，形成器件和电路连接，类似“雕工”精细雕刻的过程。
此外，在整个制造流程中，量测环节也采用了新的电子束量测系统，可实现纳米级别的缺陷检测，有效替代了部分原有检测手段。
这种技术路径的探索，不仅打破了对EUV设备的依赖，也在半导体设备、材料、设计工具等多个环节推动了全产业链的发展。未来，这种创新方法是否能够进一步推进至3纳米甚至更先进制程，值得持续观察与期待。
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