在当前半导体制造领域，7纳米及以下的先进制程几乎都依赖于极紫外光（EUV）光刻技术，而这一核心技术目前主要由荷兰企业ASML掌握。传统上认为，若没有EUV光刻机，就难以实现高精度的芯片制造。
不过，最近有消息称一种特殊的5纳米工艺已经出现，它采用了与传统方式不同的技术路径，成功绕过了对EUV光刻设备的依赖。这种工艺使用的是步进扫描光刻机，并结合多重曝光技术，从而实现了5纳米级别的线宽控制。
光刻机作为芯片制造过程中的核心设备，其功能是将掩模上的电路图案通过光学系统投射到涂覆了光刻胶的硅片上，形成精细的电路图案。可以形象地说，光刻机如同芯片制造中的“画工”，负责勾勒出芯片的基础结构，决定了芯片的制程水平。
在完成光刻步骤后，刻蚀工艺便接续进行。最新的5纳米刻蚀设备已达到原子级的精度，其刻蚀效率相比之前提升了15%。刻蚀设备的作用是根据光刻所描绘的图形，通过化学或物理方法去除未受光刻胶保护的部分材料，保留所需结构，形成最终的器件和线路，相当于芯片制造过程中的“雕工”。
除此之外，在制造过程中还引入了新型电子束检测系统，可以在纳米级别上替代传统检测方式，实现更高精度的缺陷识别和分析。
总体来看，这种全新的技术路线不仅实现了关键制造环节的技术突破，也带动了整个半导体产业链的发展，包括设备、材料以及设计工具等多个方面。随着该技术的不断优化，未来或许也能用于更先进的3纳米甚至更小制程的芯片制造，为行业发展提供了新的可能。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：国产5纳米工艺突破EUV光刻技术限制https://dcdv.zol.com.cn/989/9897445.html
