英飞凌近日宣布，其在12英寸（300毫米）晶圆上开发的可扩展氮化镓（GaN）生产工艺已进入稳定推进阶段，公司预计将在2025年第四季度向客户提供首批样品。
作为一家垂直整合制造企业（IDM），英飞凌表示，这一生产模式有助于提升产品质量、加快产品上市速度，并增强设计和开发方面的灵活性。目前，该公司已经具备基于硅（Si）、碳化硅（SiC）以及氮化镓（GaN）三种核心材料进行300毫米晶圆制造的能力。
氮化镓半导体凭借更高的功率密度、更快的开关速度以及更低的能量损耗，能够实现更小巧紧凑的设计，因此在智能手机充电器、太阳能逆变器、工业设备及人形机器人等领域展现出显著优势，有助于降低这些电子设备的能耗与发热表现。
英飞凌也成为全球首家成功在现有产线中实现300毫米氮化镓晶圆技术的半导体制造商。相比目前广泛使用的200毫米晶圆，300毫米晶圆不仅技术更为先进，生产效率也更高，其单片晶圆的芯片产出量可达前者的2.3倍。
另一方面，有消息称一家领先的晶圆代工厂将逐步退出氮化镓晶圆代工业务，其位于中国台湾新竹的生产线也将停止运作。
该企业已确认，经过全面评估后，出于对市场环境及公司长期战略的综合考虑，决定在未来两年内逐步终止氮化镓晶圆代工服务，并正与相关客户密切沟通，以确保过渡期内各项工作的平稳衔接。
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