三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。
据悉，三星已开始执行“选择与集中”策略，核心目标是将2纳米GAA工艺的良率提升至60%至70%之间。一旦达成该目标，意味着该技术具备了进入大规模生产阶段的条件，也将有助于增强潜在客户对三星技术的信心。
据相关消息透露，三星电子内部的特别工作组以及全球研究院正在共同推动这项提升良率的技术计划。一位消息人士曾在社交平台分享过更详细的进展，指出三星之所以聚焦于该光刻技术，主要源于部分客户在未来两三年内对该制程仍存在需求。尽管投资2纳米以下工艺风险较高，但三星已在2纳米GAA节点上取得一定突破，这为其在激烈竞争中争取一席之地提供了可能。
不过，目前三星面临的形势依然严峻。此前有消息称，高通曾考虑由三星代工其骁龙8 Elite Gen 2芯片，但试产后该合作据称已被取消。即便如此，三星仍在持续推进技术迭代，并已完成第二代2纳米工艺的基本设计，同时计划在未来两年内推出第三代工艺“SF2P+”。
据相关资料介绍，一般情况下，晶圆制造要实现商业价值，良率需达到70%左右才算具备量产经济性。目前，三星高管层已向各部门设定了六个月的时间表，以期尽快实现这一关键目标。
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