消息称三星计划量产的1c DRAM使用MOR光刻胶

据韩媒报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。MOR 是业内认为的下一代光刻胶（PR），将会接替目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。然而，由于 CAR 在分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度方面已经无法完全满足未来光刻的需求，因此三星正计划在第 6 代 10 纳米 DRAM（1c DRAM）中使用 MOR。

据悉，三星正在测试开发这款新型材料，并准备向多家供应商采购 EUV MOR 光刻胶材料。除了 Inpria 之外，杜邦、东进半导体、三星 SDI 等公司也在积极研发这个领域。相关产品有望在今年下半年投入生产。

随着技术的进步和市场需求的增加，金属氧化物抗蚀剂将成为未来芯片制造行业的重要组成部分。这一变革将为半导体制造商提供更先进的技术和更高的性能指标，同时也将推动整个行业的发展。

本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：消息称三星计划量产的1c DRAM使用MOR光刻胶https://dcdv.zol.com.cn/869/8690227.html