近日，一项由芝加哥大学PME团队的研究取得突破性进展。他们成功地在仅1毫米大小的晶体内储存了数TB的数据，为未来存储解决方案带来了新的里程碑。
研究人员利用晶体内部的单原子缺陷来表示数据存储的二进制1和0，从而实现了这一目标。这项研究发表于《纳米光子学》期刊上，并探讨了原子尺度下晶体缺陷如何起到个别储存单元的作用以及如何将量子方法与传统计算原理相结合的过程。
研究团队认为，这项突破可能重新定义数据储存的极限，并为传统计算领域带来超轻薄、超大容量的储存解决方案。论文第一作者、博士后研究员Leonardo Fran?a表示：“我们找到了能将应用于辐射剂量测定的固态物理学与专注于量子领域的研究团队相结合的方法。”
在助理教授Tian Zhong的领导下，研究团队通过将稀土离子引入晶体中开发出这种创新的储存方法。具体来说，他们将镨（Praseodymium）离子掺杂到氧化钇（Yttrium Oxide）晶体内，并使用紫外激光启动这些电子。随后，这些电子被困在晶体内的天然缺陷中。研究人员通过控制这些缺陷的电荷状态，有效地构建出一套二进制系统，其中带电缺陷代表1，不带电缺陷代表0。
这项研究打开了一个全新的领域，为未来存储技术的发展提供了无限可能性。随着技术不断进步和创新，我们相信会有更多类似成果问世，并为人们的生活带来便利。
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