4月14日的消息显示，一家韩国半导体企业决定增加今年的资本支出计划，以应对市场对高带宽内存（HBM3E）产品需求的增长。该企业原本计划今年在设施扩建上的投资为22万亿韩元，约合人民币1122.66亿元。然而，随着市场需求的变化，这一投资计划已被上调至29万亿韩元，约合人民币1479.87亿元，增幅达到30%。
据了解，这一调整方案已在近期正式敲定。该企业已向相关供应商发出通知，要求其在10月之前将设备交付至位于韩国忠州的M15X工厂。这一时间比原计划提前了两个月，旨在加速产能扩张和产品交付。
此次调整的主要目标是为了满足英伟达等合作伙伴对HBM产品的更高需求。根据行业研究机构的数据，在今年第一季度，这家企业在DRAM市场的份额达到了36%，首次超越竞争对手（市场份额为34%），成为全球DRAM市场的领军者。
此外，该企业上个月曾表示，今年的HBM生产能力已被预订一空，并已向客户提供了HBM4 12H样品。目前，全球存储行业正积极推进HBM4技术的竞争。其中，另一家领先的存储厂商计划于2025年实现HBM4的量产，但其10nm级1c DRAM工艺仍处于完善阶段，因此实现这一目标充满挑战。
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