国内最大DRAM芯片制造商长鑫存储，也是目前唯一具备DDR4和LPDDR4内存芯片生产能力的本土企业，今年年初已顺利完成向DDR5及LPDDR5技术平台的转型。近期，公司正逐步降低DDR4产品的出货比例，将资源集中投向DDR5的研发与生产，并计划通过工艺升级进一步提升产能。
然而，其DDR5量产进程正面临一定挑战。核心问题在于当前采用的制程工艺相对滞后。长鑫存储使用其第四代DRAM节点技术制造DDR5芯片，导致芯片面积较三星同类产品增加约40%，直接推高了单位成本，制约了大规模生产的可行性。
此外，该工艺条件下芯片的品质控制和良品率尚未达到理想水平。在可靠性方面也存在短板：早期测试显示，其DDR5内存模块在极端温度环境下运行稳定性不足。为此，企业不得不对芯片设计进行重新调整，以增强产品在复杂工况下的表现。
业界此前普遍预计，长鑫存储有望于2025年5月至6月间启动DDR5芯片的批量生产。但截至目前，大规模出货仍未实现。虽然部分技术难题已取得突破，但整体良品率仍维持在50%左右，距离量产所需的稳定水平仍有明显差距。
尽管如此，长鑫存储在DDR5技术上的进展已使其达到南亚科技的同等水平，与国际领先厂商的技术差距正在逐步缩小。结合当前研发和生产节奏判断，其DDR5产品预计将在2025年底前后进入稳定量产阶段。
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