消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2024 年内难以向英伟达供应

据消息人士透露，三星电子因其8层和12层堆叠的HBM3E内存样品性能未达英伟达要求，导致无法在今年内向其大规模供货。预计实际供货将会在2025年进行。

早在2023年10月，三星电子便向英伟达供应了HBM3E内存的质量测试样品，但一年多的时间内，三星HBM3E的认证流程并未取得明显进展。有观点认为，在HBM3E利基内存领域中，SK海力士处于领先地位，并因此确定了性能参数标准。然而，由于功耗和发热等参数无法满足英伟达的要求，三星HBM3E无法获得供应许可。

目前尚未明确指出导致未能通过认证的具体原因是否与采用了不同的键合工艺相关。据了解，SK海力士在生产过程中使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而美光则使用TC-NCF热压非导电薄膜技术。

此篇报道是由韩媒发布，并指称该情况也对其他厂商产生了一定影响。

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