7月16日消息，韩国半导体设备制造商韩美半导体董事长郭东信近日表示，在HBM 4和HBM 5代产品中引入混合键合技术用于HBM内存制造并不必要，相当于过度投入。
韩美半导体是全球领先的HBM内存TC（热压）键合设备供应商。据郭东信介绍，过去两年内，通过该公司设备完成键合工艺的HBM堆叠产品，占据了英伟达HBM3E内存整体供应量的90%。
郭东信指出，混合键合设备的采购成本超过100亿韩元（约合5190万元人民币），是传统TC键合设备的两倍以上。同时，由于JEDEC在HBM4标准中将堆叠高度上限放宽至775微米，采用无凸块结构的混合键合方式在缩小DRAM芯片间距方面已不再成为必须选项，现有的TC键合设备完全能够满足HBM4乃至HBM5的技术要求。
此外，韩美半导体计划在今年推出适用于HBM6需求的无助焊剂型HBM键合设备，而面向更高性能要求的混合键合设备则预计将在2027年面世。
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